芯耀
Part 01、前言
MOSFET作为开关器件，在驱动电路中主要用于控制电流的通断，比如在DC-DC转换器、电机驱动或者功率放大电路中。它的开关过程（开和关）会直接影响电路的效率、发热和可靠性。
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在电力电子系统中，MDDMOS管的开关异常往往导致效率骤降、EMI超标甚至器件损毁。某新能源汽车OBC模块因驱动波形振荡引发MOS管过热，导致整机返修率高达15%。1410 03/06 08:34 -
Part 01、前言 打开MOSFET规格书，往下拉，你会发现MOSFET规格书里有一个曲线叫安全工作区曲线，很多人在进行MOSFET选型时，一般只关注前面的电气参数，往往会忽略后面的各种特性曲线，这样做就会忽略4300 01/23 13:59 -
驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。1699 03/04 16:28
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驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。1277 03/18 09:52
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驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。1890 02/18 17:40
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驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。525 04/08 10:10
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驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。2033 02/25 10:25
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驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。1084 03/18 11:00
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驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。982 04/02 09:35
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驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。1467 02/11 12:15
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MOSFET的导通损耗由漏源导通电阻RDS(on)决定，多个MOSFET并联后，等效RDS(on)减小，多个MOSFET分散功耗，可以避免单个器件过热，从而简化散热设计。2846 01/31 09:25
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Part 02、单脉冲雪崩能量的定义 单脉冲雪崩能量简称是EAS，这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数，我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力，进而来评估器件在异常瞬态过压情况下不会失效8560 2024/11/22
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本文就来介绍一个设计案例，采用电平位移驱动器碳化硅SiC MOSFET 5kW交错调制图腾柱PFC评估板。1099 03/25 10:50
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Part 01、前言 在MOSFET驱动电路中，如果我们采用栅极驱动器来驱动MOSFET，那么将栅极驱动器尽可能靠近MOSFET放置是比较理想的选择。1773 03/12 15:33
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然而，前几篇文章并未提及电机驱动MOS。此次，我们将继续以10款扫振一体牙刷拆解案例为蓝本，为大家揭开电机驱动MOS的实际应用情况。1561 01/19 13:18 -
Part 01、前言 在MOSFET驱动电路中，经常会遇到使用集成双极晶体管BJT作为栅极驱动器的情况。这种设计在PWM控制或电机驱动中非常常见，尤其是在需要快速开关和高效率时。1327 03/07 15:21
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Part 01、前言 下图是一个简洁的栅极驱动电路，包含一个驱动器IC、栅极电阻RGATE、反向并联的关断二极管DOFF，以及MOSFET。2评论 3791 03/10 16:08
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Part 01、前言 下面的图片展示了一个双极Totem-Pole MOSFET驱动电路，这玩意儿在功率MOSFET驱动设计中可是个“老江湖”，用上NPN和下PNP晶体管搭成的推挽结构，驱动效率还是蛮高的2487 03/17 10:10
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Part 02、电路分析 这个电路的核心任务是驱动MOSFET，通过控制其栅极电压来实现开关动作。从电路图来看，驱动器的输出信号经过一系列处理后，控制MOSFET的栅极。3781 03/19 14:54
