ne5532推挽电路设计

《高速电路设计实践》这本书学习过，最近翻看了高速电路系列第二本《高速电路设计进阶》，列了点小结： ①温度、湿度对产品性能的影响，文中举了 低温下电子设备启动异常 的例子，原因就是电容的温变特性，也列举了温度对陶瓷电容

纳芯微宣布推出高性价比的推挽变压器驱动NSIP605x系列。该系列包括输出功率为1W的NSIP6051和输出功率为5W的NSIP6055。

因此，在电子电路设计中也少不了晶振的参与。一个好的晶振电路设计，是能够为电子提供最好的空间利用率，同时发挥最大的功能性作用。振荡原理振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。

前言 作为硬件工程师，如果你在做电路设计时，进行元器件选型都是抄别的人，电容别人用100nF，你也用100nF，电阻别人放1KΩ，你也放1KΩ,基本没有进行过元器件的选型计算，那么你很难提高自己，

导读 在电路设计中，为了降低成本而忽视ESD防护和隔离设计可能导致严重后果。

Part 02、单脉冲雪崩能量的定义 单脉冲雪崩能量简称是EAS，这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数，我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力，进而来评估器件在异常瞬态过压情况下不会失效

Part 01、前言 MOSFET并联使用在许多功率电子电路中是常见的设计方法，尤其是在高功率或高电流应用中。这种设计的主要目的是通过并联多个MOSFET来分担电流、降低功耗并提高电路的性能和可靠性。 单个MOSFET的最大电流能力受到其额定参数，如最大漏极电流的限制。通过将多个MOSFET并联，可以分担电流，从而允许整个电路处理更大的总电流。MOSFET的导通损耗由漏源导通电阻RDS(on)决定

本文介绍了多个基于proteus仿真的电路设计实例，涉及计时器、电子时钟、信号分析仪、测温系统、信号发生器、数字示波器等多个领域的电路设计，有需要的小伙伴可以点击相应的链接查看详情下载~

1、前言 PCB常规的FR4材料的热导率较低（通常约为 0.3~0.4 W/m·K），这使得它在大功率电路应用中不利于功率芯片热量的快速散发。改善FR4 PCB热传导的一种性价比比较高的方法是在芯片热焊盘上添加热过孔。通过在PCB焊盘上添加热过孔，可以显著增强热传导路径，使热量更容易从功率芯片传递到空气中或散热器上。那么一个焊盘放多少个过孔散热最合适呢？ 2、过孔热阻计算 单个热过孔的热阻计算可以

纳芯微今日宣布推出高性价比的推挽变压器驱动NSIP605x系列。该系列包括输出功率为1W的NSIP6051和输出功率为5W的NSIP6055。