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  • JSM9N20D 200V N 沟道 MOSFET

    JSM9N20D 200V N 沟道 MOSFET 00:45
    JSMSEMI 杰盛微半导体的JSM9N20D是一款200V N沟道 MOSFET，采用TO-252 封装（器件标识为 JSM9N20D），具备快速开关、100% 雪崩测试验证、dv/dt 能力提升等核心特性
    杰盛微半导体JSMSEMI 260 2025/12/23

  • JSM9N20C 200V N沟道 MOSFET

    JSM9N20C 200V N沟道 MOSFET 00:37
    JSM9N20C 是杰盛微半导体推出的200V N 沟道 MOSFET，采用TO-220 封装，核心优势包括低导通电阻（RDS (on) 最大 0.4Ω@VG=10V）、优异开关特性（总栅极电荷 Typ
    杰盛微半导体JSMSEMI 853 2025/12/24

  • JSM90N20P 220V N沟道MOSFET

    JSM90N20P 220V N沟道MOSFET 01:18
    JSM90N20P 是杰盛微JSMSEMI推出的220V N-Channel MOSFET，提供TO-3P和TO-247两种封装（器件标识均为 JSM90N20P）。
    杰盛微半导体JSMSEMI 729 2025/10/30

  • JSM25N06 60V N 沟道 MOSFET

    JSM25N06 60V N 沟道 MOSFET
    今天要给大家推荐的，正是杰盛微（JSMSEMI）针对这些痛点推出的JSM25N06 N 沟道 MOSFET：不仅完美兼容 SI2308 的封装与应用场景，更在电流承载、导通损耗、散热能力上实现全面升级，
    杰盛微半导体JSMSEMI 1365 2025/10/17

  • JSM40P10C 100V P沟道 MOSFET

    JSM40P10C 100V P沟道 MOSFET 01:10
    JSM40P10C 是杰盛微推出的100V P 沟道 MOSFET，采用TO-220-3L 封装（引脚为 G 脚、T 脚、S 脚，器件丝印与型号一致），核心特性包括快速开关、100% 雪崩测试验证、改进的
    杰盛微半导体JSMSEMI 699 2025/10/30

  • JSM57N10C 100V N 沟道 MOSFET TO-220 封装

    JSM57N10C 100V N 沟道 MOSFET TO-220 封装
    在开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等中低压电力电子系统中，MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与成本。
    杰盛微半导体JSMSEMI 1568 2025/10/23

  • 15N10 N沟道车灯-灯带-球泡灯MOS管-HC070N10L 支持48V60V80V100V

    15N10 N沟道车灯-灯带-球泡灯MOS管-HC070N10L 支持48V60V80V100V
    特点 *N-通道，5V逻辑电平控制 *增强模式 *在 Vas=4.5 V 时，电阻非常低。
    东莞市惠洋科技有限公司 1151 02/06 14:36

  • JSM50N06C 60V N沟道MOSFET TO-220封装

    JSM50N06C 60V N沟道MOSFET TO-220封装 01:00
    JSM50N06C 是杰盛微生产的60V N 沟道 MOSFET，采用TO-220AB 封装，核心优势包括低本征电容、优异开关特性、扩展安全工作区及100% 雪崩测试验证；关键电参数为：BVDSS=60V
    杰盛微半导体JSMSEMI 630 2025/10/20

  • JSM200N04PG N 沟道增强型功率MOSFET

    JSM200N04PG N 沟道增强型功率MOSFET 00:50
    在工业电源、不间断电源（UPS）、功率开关电路等场景中，N 沟道功率 MOSFET是核心器件之一 —— 它的导通损耗、电流承载能力、散热效率，直接决定了整个系统的能效与可靠性。
    杰盛微半导体JSMSEMI 673 2025/10/16

  • 5P03舞台灯P沟道MOS管-HC3407A 支持-30V -4.1A SOT-23封装 低内阻

    5P03舞台灯P沟道MOS管-HC3407A 支持-30V -4.1A SOT-23封装 低内阻
    深入解析HC3407A：一款适用于紧凑型电源管理设计的P沟道MOSFET 在当代电子设备，尤其是便携式设备和精密控制系统中，电源管理电路的设计至关重要。
    东莞市惠洋科技有限公司 743 02/06 14:57

  • JSM2302 N沟道MOSFET赋能低功耗电子设计

    JSM2302 N沟道MOSFET赋能低功耗电子设计 01:00
    JSM2302 是 JSMICRO 生产的N 沟道 MOSFET，采用SOT-23 塑封封装，核心优势为芯片运用超高密度圆胞设计技术实现低RDS(ON) 导通电阻；主要用于电池管理、高速开关、低功率 DC-DC
    杰盛微半导体JSMSEMI 911 2025/09/25

  • JSM9N20F 200V N沟道MOSFET

    JSM9N20F 200V N沟道MOSFET 00:38
    JSM9N20F 是杰盛微半导体推出的200V N 沟道 MOSFET，采用 TO-220F 封装，具备低导通电阻（最大 0.4Ω@VGS=10V）、优异开关特性（总栅极电荷典型值 22nC）、宽工作温度范围
    杰盛微半导体JSMSEMI 364 2025/12/26

  • 惠海120N04高性价比N沟道MOS管HCE40N11L 支持40V/30V/20V-120A

    惠海120N04高性价比N沟道MOS管HCE40N11L 支持40V/30V/20V-120A 00:53
    惠海120N04高性价比N沟道MOS管HCE40N11L 支持40V/30V/20V-120A /100A 80A/60A无刷电机MOS方案 低内阻 高EAS 一致性好 大电流
    东莞市惠洋科技有限公司 481 2025/10/30

  • 杰盛微JSM2302 N 沟道 MOSFET 赋能低功耗电子设计！

    杰盛微JSM2302 N 沟道 MOSFET 赋能低功耗电子设计！
    尤其是在低功率 DC-DC 转换、电池管理等关键领域，IRS2302 作为常用的 N 沟道 MOSFET，其供应稳定性直接影响项目进度。
    杰盛微半导体JSMSEMI 1124 2025/09/25

  • SM18N20C 220V N 沟道 MOSFET TO-220-3L

    SM18N20C 220V N 沟道 MOSFET TO-220-3L
    在开关电源、UPS、功率因数校正（PFC）等电力电子领域，MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与成本。
    杰盛微半导体JSMSEMI 1103 2025/10/27

  • JSM9N20C 200V N沟道MOSFET TO-220 封装

    JSM9N20C 200V N沟道MOSFET TO-220 封装 01:13
    JSM9N20C 是杰盛微半导体（JSMSEMI）推出的200V N 沟道 MOSFET，采用TO-220 封装（引脚定义：1 脚 = Gate、2 脚 = Drain、3 脚 = Source），核心参数包括漏源电压
    杰盛微半导体JSMSEMI 766 2025/10/27

  • JSM30N10C 100V N沟道 MOSFET TO-220 封装

    JSM30N10C 100V N沟道 MOSFET TO-220 封装 01:10
    JSM30N10C是JSMSEMI生产的100V N 沟道 MOSFET，采用TO-220 封装，核心特性包括低固有电容、优秀开关特性、扩展安全工作区及100% 雪崩测试验证；关键电参数为BVDSS=100V
    杰盛微半导体JSMSEMI 889 2025/10/22

  • 圣邦微电子推出 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET SGMNL12330

    圣邦微电子推出 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET SGMNL12330
    摘要： 圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
    与非网编辑 588 2025/08/13

  • JSM11P20 200V P沟道MOSFET

    JSM11P20 200V P沟道MOSFET 01:04
    JSMSEMI推出的JSM11P20是一款200V P-Channel MOSFET，具备快速开关、100% 雪崩测试验证、改进的 dv/dt 能力三大核心特性，主要应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源
    杰盛微半导体JSMSEMI 554 2025/10/31

  • 纳祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A双N沟道MOSFET

    纳祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A双N沟道MOSFET
    纳祥科技NX701030V 20A双N沟道MOSFET 30V 20A双N沟道MOSFET 纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET，它的工作原理是基于栅源电压的控制
    纳祥科技 741 2025/03/24
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