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  • 摘要 IGBT铜基板氧化层降低导热胶润湿。研洁真空等离子清洗设备温和还原氧化层并活化表面,散热热阻下降,功率循环寿命提升。
    研成工业 1021 01/14 15:25
  • 据介绍,该项目规划建设先进半导体车规级分立器件以及第三代半导体功率模块线,达产后预计年产5000万只IGBT及碳化硅功率模块、5.5亿只车规级分立器件、80亿只小信号及功率器件、25亿只光电器件。
    行家说三代半 1225 01/05 10:48
  • IGBT 模块是由IGBT 与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品。
    科瑞杰科技 334 03/04 15:40
  • 在散热器上安装的IGBT 模块并非密封设计,尽管芯片上方有一层硅胶,但是水汽仍然可以通过外壳间隙以及硅胶进入器件芯片内部。因此,器件在使用和存储过程中,必须避免湿气或者腐蚀性气体。
    英飞凌 1712 2025/10/25
  • 其外壳材料需具备耐高低温、尺寸稳定、耐漏电起痕等苛刻性能,以确保模块在复杂环境下的可靠运行。聚苯硫醚(PPS)凭借优异的性能,通过注塑成型工艺为IGBT外壳提供了高性能解决方案。
    常州瑞璐塑业 1398 2025/05/20
  • 4月23日,丹佛斯动力系统官方宣布,他们的南京功率模块园区正式启用,总投资超8亿元,可年产IGBT/SiC功率模块250万只,电机及电驱动产品10万套。
    行家说功率半导体与新能源 1197 2025/04/25
  • 它继承了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点,具有高电压、大电流处理能力,并且具有自关断的功能,这使得它在高功率应用场合中表现出色。
    SMT工程师之家 1.6万 2025/09/12
  • 你要说英飞凌的IGBT7无法连续运行在175℃吗?我肯定不信,为什么这么说?
    Disciple 658 2025/01/21
  • (微芯科技公司)今日宣布推出全新DualPack 3(DP3)系列电源模块
    与非网编辑 860 2025/09/17
  • IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为电力电子器件,在变频冰箱中起着至关重要的作用
    上海贝岭 1359 01/15 11:28
  • 无论是逆变焊机、电机驱动、UPS电源、光伏储能逆变器,还是高性能电源模块,一颗高效、安全、可靠的IGBT,都决定着系统能否在高压、大电流、复杂工况下稳定运行。
    时科 818 01/15 14:36
  • 这些系统利用许多门控半导体器件,如普通晶体管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作为开关模式电源(SMPS)、通用电源(UPS)和电机驱动器中的开关元件。
    先进光半导体 525 01/08 07:31
  • 而控制策略则依托驱动电路优化,采用PWM调制、软开关等技术,精准调节IGBT的导通与关断时序,降低开关损耗并提升效率。此外,温度监测、过流保护等智能控制模块的引入,进一步增强了系统的稳定性。
    奥特半导体 158 03/10 16:11
  • 本文将系统阐述电化学传感器的基础知识,详细剖析MCUM355模块的硬件原理、核心功能,并展示气体探测、水质检测应用方案,详述其EIS测量功能以及串口交互开发方法。
    骏龙科技有限公司 1036 2025/12/23
  • 过流保护(OCP): 作用:防止电源模块和连接的电路在过载或短路情况下受到损坏。当负载电流超过设定值时,过流保护功能会自动触发,限制或切断输出电流,保护电源模块和连接的电路。
    eefocus_3946837 1013 2025/09/22
  • 二、WiFi 6 模块的典型产品和功能 EBYTE的产品线清楚地展示了WiFi 6技术的演进和多样化应用: 1、高性能通用模块 E101-C6WN8 系列:基于 ESP32-C6 芯片,支持 WiFi
    亿佰特物联网应用专家 1303 01/21 14:32
  • 日差检定仪的核心功能与作用 SYN5302型日差检定仪的核心是通过高精度信号采集与数据处理,量化计时仪器的走时偏差,其功能与作用可从 “测量核心”“应用场景”“附加价值” 三个维度展开: 核心测量功能
    同步天下高经理 706 01/22 11:21
  • IGBT器件结构 IGBT 是由 4 个交替层 (P-N-P-N) 组成的功率半导体晶体管,通过施加于金属氧化物半导体 (MOS) 栅极的电压进行控制。
    与非网编辑 975 2025/12/29
  • IGBT 与碳化硅(SiC)MOSFET 混合并联开关是大功率电力电子领域的创新方案,通过整合 SiC MOSFET 的高开关频率、低损耗优势与 IGBT 的成本经济性,在专用栅极驱动器支持下,实现 “
    eefocus_3901714 3054 2025/11/18
  • IGBT 与碳化硅(SiC)MOSFET 并联是提升功率系统输出能力的核心方案,但其核心痛点是静态 / 动态电流不均衡,可能引发器件热失控、寿命缩短甚至烧毁。
    eefocus_3901714 1516 2025/12/31
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