LM2596S降压稳压电源电路设计

电赛资料降压型直流开关稳压电源（原理图、PCB源文件、程序源码） 以 TI 公司的降压控制器 LM5117 芯片和 CSD18532KCS MOS 场效应管为核心器件，设计并制作一个降压型直流开关稳压电源

稳压电源和集成稳压器件LDO的介绍如下： 一、稳压电源 稳压电源是一种能为负载提供稳定交流电或直流电的电子装置，包括交流稳压电源和直流稳压电源两大类。

《高速电路设计实践》这本书学习过，最近翻看了高速电路系列第二本《高速电路设计进阶》，列了点小结： ①温度、湿度对产品性能的影响，文中举了 低温下电子设备启动异常 的例子，原因就是电容的温变特性，也列举了温度对陶瓷电容

因此，在电子电路设计中也少不了晶振的参与。一个好的晶振电路设计，是能够为电子提供最好的空间利用率，同时发挥最大的功能性作用。振荡原理振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。

前言 作为硬件工程师，如果你在做电路设计时，进行元器件选型都是抄别的人，电容别人用100nF，你也用100nF，电阻别人放1KΩ，你也放1KΩ,基本没有进行过元器件的选型计算，那么你很难提高自己，

导读 在电路设计中，为了降低成本而忽视ESD防护和隔离设计可能导致严重后果。

基于51单片机设计的输出0-30V、4A数控稳压电源（原理图、PCB图、源代码） 该设计为基于51单片机设计的0-30V、4A数控稳压电源，实现输出0-30V可调，电流4A； 备注：原理图为PDF

Part 02、单脉冲雪崩能量的定义 单脉冲雪崩能量简称是EAS，这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数，我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力，进而来评估器件在异常瞬态过压情况下不会失效

SL3036H 内置150V MOS 宽输入电压降压型DC-DC 概述: SL3036H 是一款支持宽电压输入的开关降压型DC-DC，芯片内置150V/3A功率MOS，最高输入电压可超过

基于PLC设计的低成本可调数显稳压电源(1.3V～25V)proteus仿真（仿真图、源代码） 该设计是proteus仿真的基于PLC设计的低成本可调数显稳压电源、实现1.3V～25V可调输出；

Part 01、前言 MOSFET并联使用在许多功率电子电路中是常见的设计方法，尤其是在高功率或高电流应用中。这种设计的主要目的是通过并联多个MOSFET来分担电流、降低功耗并提高电路的性能和可靠性。 单个MOSFET的最大电流能力受到其额定参数，如最大漏极电流的限制。通过将多个MOSFET并联，可以分担电流，从而允许整个电路处理更大的总电流。MOSFET的导通损耗由漏源导通电阻RDS(on)决定

性能参数： 开发平台：STC 宏晶； 输入宽范围170V~270V有效稳压； 输出稳压范围220V~232V，超出稳压范围报警：±5V，±10V，±15V； 输出稳压范围220V±1%，超出稳压精度±12%，±3%报警； 响应时间 : 20ms； 输入低压，高压报警可手动设置； 全程采用电子开关（固态继电器）控制输出稳压，完全替代传统的碳刷稳压器，无限提高原继电器，碳刷稳压器的使用寿命； 本控制器

18V2A500 KHz同步降压调节器方案：低功耗同步降压恒压IC 概述 SL1588是一款高频、同步、整流、降压、开关模式转换器，内置功率MOSFET。

本文介绍了多个基于proteus仿真的电路设计实例，涉及计时器、电子时钟、信号分析仪、测温系统、信号发生器、数字示波器等多个领域的电路设计，有需要的小伙伴可以点击相应的链接查看详情下载~

基于PIC单片机设计可调数显稳压电源实现1.3V～25V输出（仿真图、源代码） 该设计为基于PIC单片机设计可调数显稳压电源，实现1.3V～25V可调输出； 功能实现如下： 1、PIC12C672

基于multisim仿真设计的可调式直流稳压电源设计（仿真图、论文） 设计要求 1、要求设计制作一个直流稳压电源，可将220V/50HZ交流电源输出±12V(±5V)直流电压； 2、仿真直流稳压电源